Uber Entstehung und Wirkung von Störstellen mit tiefen Energieniveaus in Silicium.
Forfatter: H. Irmler
År: 1959
Sider: 102
UDK: 621.315.59(04)
Få adgang
Har du spørgsmål, eller ønsker du adgang til en bog, der ikke er digitaliseret, kan du skrive til bibliotek@dtu.dk.