The physical properties of grown p-i-n junctions in silicon carbide.
Forfatter: C.A.A.J. Grebe
År: 1962
Sider: 78
Eksemplarer: 3
Få adgang
Har du spørgsmål, eller ønsker du adgang til en bog, der ikke er digitaliseret, kan du skrive til bibliotek@dtu.dk.