The physical properties of grown p-i-n junctions in silicon carbide.

Forfatter: C.A.A.J. Grebe

År: 1962

Sider: 78

Eksemplarer: 3

Få adgang

Har du spørgsmål, eller ønsker du adgang til en bog, der ikke er digitaliseret, kan du skrive til bibliotek@dtu.dk.

Kartotekskort